现在，智能手机、电脑和游戏控制台等电子设备中普适使用的内存块大家都耳熟能详。比如三星的棱镜系列的内存块，凭借着可靠性和高效性，用户遍布世界各地。三星最近推出了850evo内存块，其读写性能得到了很大的提升，引起了不少技术爱好者关注。
三星850evo内存採用TLC结构，能够以更快的速度进行读写操作。普通状态下，它的理论读写速度为540MB/s和520MB/s。V-NAND技术的使用，使得它的真实读写性能表现强大，读取速度比上一代提高了高达41%，写入速度比上一代提升了30%。可以说，读写速度在实施上已经可以满足用户的要求了。
此外，850evo内存在安全性方面也非常出色，使用它接口运行的设备输入可以得到加密保护，阻止数据被非法访问。目前，它已经可以支持FDE（完整加密分区加密），使得数据安全性得到了保证。
综上所述，三星850evo内存块搭载进口处理芯片，拥有超强的读写性能，而且安全性能也相当出色，这款内存块保证了用户所使用设备的高速稳定性能，受到不少技术爱好者的追捧。
